FDPF51N25YDTU
Производитель Номер продукта:

FDPF51N25YDTU

Product Overview

Производитель:

Fairchild Semiconductor

Номер детали:

FDPF51N25YDTU-DG

Описание:

MOSFET N-CH 250V 51A TO220F-3
Подробное описание:
N-Channel 250 V 51A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)

Инвентаризация:

566 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12946581
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
f5bT
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FDPF51N25YDTU Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
UniFET™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
250 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
51A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
60mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3410 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
38W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220F-3 (Y-Forming)
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
153
Другие названия
ONSFSCFDPF51N25YDTU
2156-FDPF51N25YDTU

Классификация окружающей среды и экспорта

ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
fairchild-semiconductor

FDP025N06

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FQP6N40C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6

fairchild-semiconductor

FDMS7660

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

international-rectifier

IRF3709PBF

IRF3709 - 12V-300V N-CHANNEL POW