FDPF18N20FT-G
Производитель Номер продукта:

FDPF18N20FT-G

Product Overview

Производитель:

Fairchild Semiconductor

Номер детали:

FDPF18N20FT-G-DG

Описание:

MOSFET N-CH 200V 18A TO220F
Подробное описание:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Инвентаризация:

1246 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12946430
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FDPF18N20FT-G Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
UniFET™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
140mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1180 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
35W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220F-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
392
Другие названия
ONSFSCFDPF18N20FT-G
2156-FDPF18N20FT-G

Классификация окружающей среды и экспорта

ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
international-rectifier

IRL3705ZPBF

IRL3705 - 12V-300V N-CHANNEL POW

international-rectifier

IRFHS8242TRPBF

IRFHS8242 - HEXFET POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

FDMS7672

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FQPF22N30

MOSFET N-CH 300V 12A TO220F