Производитель Номер продукта:
FDU6512A
Product Overview
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Номер детали:
FDU6512A-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 10.7A/36A IPAK
Подробное описание:
N-Channel 20 V 10.7A (Ta), 36A (Tc) 3.8W (Ta), 43W (Tc) Through Hole IPAK
Инвентаризация:
834 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13077421
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDU6512A Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Tube
Серия
PowerTrench®
Упаковка
Tube
Состояние детали
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10.7A (Ta), 36A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
21mOhm @ 10.7A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
19 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1082 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.8W (Ta), 43W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
IPAK
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
386
Другие названия
FAIFSCFDU6512A
2156-FDU6512A-FS
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDMS8692
MOSFET N-CH 30V 12A/28A 8PQFN
IRF9630
MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
FQPF3N50C
MOSFET N-CH 500V 3A TO220F