Производитель Номер продукта:
FDZ193P
Product Overview
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Номер детали:
FDZ193P-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
Подробное описание:
P-Channel 20 V 3A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 6-WLCSP (1x1.5)
Инвентаризация:
663295 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12946527
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDZ193P Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.7V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
90mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
660 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.9W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
6-WLCSP (1x1.5)
Упаковка / Чехол
6-UFBGA, WLCSP
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,276
Другие названия
FAIFSCFDZ193P
2156-FDZ193P
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDMS7580
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDPF55N06
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
FDP039N08B-F102
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3