FQB6N40CTM
Производитель Номер продукта:

FQB6N40CTM

Product Overview

Производитель:

Fairchild Semiconductor

Номер детали:

FQB6N40CTM-DG

Описание:

MOSFET N-CH 400V 6A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 400 V 6A (Tc) 73W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Инвентаризация:

1600 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12946633
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FQB6N40CTM Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
QFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
400 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
625 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
73W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
369
Другие названия
ONSFSCFQB6N40CTM
2156-FQB6N40CTM

Классификация окружающей среды и экспорта

ХИТСУС
0000.00.0000
Сертификация DIGI
Связанные продукты
fairchild-semiconductor

FDMS0348

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

fairchild-semiconductor

FQP6N60C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5

fairchild-semiconductor

FDMC7570S

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

fairchild-semiconductor

FDC653N

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI