Производитель Номер продукта:
FQI4N80TU
Product Overview
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Номер детали:
FQI4N80TU-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK
Подробное описание:
N-Channel 800 V 3.9A (Tc) 3.13W (Ta), 130W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Инвентаризация:
1550 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12946768
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FQI4N80TU Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
QFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3.9A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.6Ohm @ 1.95A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
880 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.13W (Ta), 130W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-262 (I2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
287
Другие названия
FAIFSCFQI4N80TU
2156-FQI4N80TU
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FQP12N60C
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
IRF2805PBF
IRF2805 - 12V-300V N-CHANNEL POW
FQI5N60CTU
MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK