Производитель Номер продукта:
FQI50N06TU
Product Overview
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Номер детали:
FQI50N06TU-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 50A I2PAK
Подробное описание:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 3.75W (Ta), 120W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Инвентаризация:
841 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12947029
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FQI50N06TU Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
QFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
22mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1540 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.75W (Ta), 120W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-262 (I2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
411
Другие названия
FAIFSCFQI50N06TU
2156-FQI50N06TU
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDMS86152
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDPF7N60NZT
MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220F
FDMS7698
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
