Производитель Номер продукта:
FQP8N60C
Product Overview
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Номер детали:
FQP8N60C-DG
Описание:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Подробное описание:
N-Channel 600 V 7.5A (Tc) 147W (Tc) Through Hole TO-220-3
Инвентаризация:
6143 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12946686
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FQP8N60C Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
QFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 3.75A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1255 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
147W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Дополнительная информация
Стандартный пакет
247
Другие названия
2156-FQP8N60C
ONSONSFQP8N60C
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FQPF630
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
AUIRF1010Z
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
FDD8782
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3