Производитель Номер продукта:
HUF76143S3ST
Product Overview
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Номер детали:
HUF76143S3ST-DG
Описание:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 30 V 75A (Tc) 225W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Инвентаризация:
1364 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12933421
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
HUF76143S3ST Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
114 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3900 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
225W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263AB
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
423
Другие названия
2156-HUF76143S3ST
FAIFSCHUF76143S3ST
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
HUF76121S3
N-CHANNEL POWER MOSFET
IPB100N04S2L-03ATMA2
N-CHANNEL POWER MOSFET
FDN363N
N-CHANNEL POWER MOSFET
