Производитель Номер продукта:
ISL9N312AD3
Product Overview
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Номер детали:
ISL9N312AD3-DG
Описание:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 30 V 50A (Tc) 75W (Ta) Through Hole I-PAK
Инвентаризация:
211233 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12967528
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
ISL9N312AD3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
UltraFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
12mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1450 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
75W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
I-PAK
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,025
Другие названия
2156-ISL9N312AD3
FAIFSCISL9N312AD3
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IGO60R070D1AUMA2
GAN HV
2SJ636-TL-E
PCH 4V DRIVE SERIES
H7N0608LS90TL-E
N-CHANNEL POWER MOSFET
