18N20
Производитель Номер продукта:

18N20

Product Overview

Производитель:

Goford Semiconductor

Номер детали:

18N20-DG

Описание:

N 200V, RD(MAX)<0.16@10V,VTH1.0V
Подробное описание:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 65.8W (Tc) Surface Mount TO-252

Инвентаризация:

2007 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13001220
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

18N20 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Goford Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
190mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
17.7 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
836 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
Standard
Рассеиваемая мощность (макс.)
65.8W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
4822-18N20TR
3141-18N20CT
3141-18N20DKR
3141-18N20TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

IPP033N04NF2SAKMA1

TRENCH PG-TO220-3

littelfuse

IXFN120N60X3

DISCRETE MOSFET 120A 600V X3 SOT

goford-semiconductor

G11S

MOSFET P-CH 20V 11A SOP-8

nexperia

BUK4D110-20PX

SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI