Производитель Номер продукта:
G1002L
Product Overview
Производитель:
Goford Semiconductor
Номер детали:
G1002L-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 2A SOT-23-3L
Подробное описание:
N-Channel 2A (Tc) 1.3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3L
Инвентаризация:
60000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13000649
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
G1002L Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Goford Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
250mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Vgs (макс.)
±20V
Функция полевых транзисторов
Standard
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.3W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23-3L
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
4822-G1002LTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMN3060LWQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
DMN2451UFB4Q-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
DMT10H032LSS-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
