Производитель Номер продукта:
G11S
Product Overview
Производитель:
Goford Semiconductor
Номер детали:
G11S-DG
Описание:
P-20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX
Подробное описание:
P-Channel 20 V 11A (Tc) 3.3W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Инвентаризация:
1730 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13001113
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
G11S Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Goford Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
18.4mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2455 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
Standard
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.3W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOP
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,000
Другие названия
3141-G11STR
3141-G11SCT
3141-G11SDKR
4822-G11STR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
PMPB07R0UNAX
SMALL SIGNAL MOSFET FOR MOBILE
PJA3434_R2_00001
MOSFET 20V 750MA SOT-23
IPP014N06NF2SAKMA2
TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
