Производитель Номер продукта:
R6020YNZ4C13
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
R6020YNZ4C13-DG
Описание:
NCH 600V 20A, TO-247, POWER MOSF
Подробное описание:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 182W (Tc) Through Hole TO-247
Инвентаризация:
600 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13001126
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
R6020YNZ4C13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V, 12V
Rds On (макс.) @ id, vgs
185mOhm @ 6A, 12V
Vgs(th) (Макс) @ Id
6V @ 1.65mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1200 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
182W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
R6020
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
846-R6020YNZ4C13
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
RQ6P020ATTCR
PCH -100V -2A POWER MOSFET: RQ6P
RX3P12BATC16
PCH -100V -120A POWER MOSFET: RX
R6022YNXC7G
NCH 600V 13A, TO-220FM, POWER MO
