Производитель Номер продукта:
RX3P12BATC16
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
RX3P12BATC16-DG
Описание:
PCH -100V -120A POWER MOSFET: RX
Подробное описание:
P-Channel 100 V 120A (Tc) 201W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
859 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13001128
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RX3P12BATC16 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
12.3mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
385 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
16600 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
201W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
RX3P12
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
846-RX3P12BATC16
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
R6022YNXC7G
NCH 600V 13A, TO-220FM, POWER MO
R6022YNZ4C13
NCH 600V 22A, TO-247, POWER MOSF
R6014YND3TL1
NCH 600V 14A, TO-252, POWER MOSF
