Производитель Номер продукта:
G1K3N10G
Product Overview
Производитель:
Goford Semiconductor
Номер детали:
G1K3N10G-DG
Описание:
N100V, 5A,RD<130M@10V,VTH1V~2V,
Подробное описание:
N-Channel 100 V 5A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount SOT-89
Инвентаризация:
778 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12993027
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
G1K3N10G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Goford Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
130mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
644 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
Standard
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.5W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-89
Упаковка / Чехол
TO-243AA
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
3141-G1K3N10GTR
4822-G1K3N10GTR
3141-G1K3N10GCT
3141-G1K3N10GDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0000
Сертификация DIGI
Связанные продукты
G1K3N10G
MOSFET N-CH 100V 5A TO-89
G220P02D2
MOSFET P-CH 20V 8A DFN2*2-6L
DMTH47M2LFVWQ-7
MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI333
