Производитель Номер продукта:
G220P02D2
Product Overview
Производитель:
Goford Semiconductor
Номер детали:
G220P02D2-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 8A DFN2*2-6L
Подробное описание:
P-Channel 8A (Tc) 3.5W (Tc) Surface Mount 6-DFN (2x2)
Инвентаризация:
9000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12993029
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
G220P02D2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Goford Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
20mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.2V @ 250µA
Vgs (макс.)
±12V
Функция полевых транзисторов
Standard
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.5W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
6-DFN (2x2)
Упаковка / Чехол
6-UDFN Exposed Pad
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
4822-G220P02D2TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0000
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMTH47M2LFVWQ-7
MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI333
PSMN1R8-80SSFJ
NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
PSMN2R3-100SSEJ
APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE
