Производитель Номер продукта:
G20P06K
Product Overview
Производитель:
Goford Semiconductor
Номер детали:
G20P06K-DG
Описание:
P-60V, -20A,RD<45M@-10V,VTH-2V~-
Подробное описание:
P-Channel 60 V 20A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount TO-252
Инвентаризация:
1180 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12988125
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
G20P06K Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Goford Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
45mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3430 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
Standard
Рассеиваемая мощность (макс.)
90W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
4822-G20P06KTR
3141-G20P06KCT
3141-G20P06KDKR
3141-G20P06KTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPDQ60R040S7XTMA1
HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
TK2P90E,RQ
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
TSM056NH04CV RGG
40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
