IPDQ60R040S7XTMA1
Производитель Номер продукта:

IPDQ60R040S7XTMA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IPDQ60R040S7XTMA1-DG

Описание:

HIGH POWER_NEW PG-HDSOP-22
Подробное описание:
N-Channel 600 V 14A (Tc) 272W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22-1

Инвентаризация:

12988126
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IPDQ60R040S7XTMA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
12V
Rds On (макс.) @ id, vgs
40mOhm @ 13A, 12V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 790µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
83 nC @ 12 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3127 pF @ 300 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
272W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-HDSOP-22-1
Упаковка / Чехол
22-PowerBSOP Module
Базовый номер продукта
IPDQ60R

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
750
Другие названия
448-IPDQ60R040S7XTMA1TR
448-IPDQ60R040S7XTMA1DKR
SP005559294
448-IPDQ60R040S7XTMA1CT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
toshiba-semiconductor-and-storage

TK2P90E,RQ

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA

taiwan-semiconductor

TSM056NH04CV RGG

40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER

nexperia

PMCB60XNEAYL

SMALL SIGNAL MOSFET FOR MOBILE

toshiba-semiconductor-and-storage

TK190E65Z,S1X

650V DTMOS VI TO-220 190MOHM