G50N03J
Производитель Номер продукта:

G50N03J

Product Overview

Производитель:

Goford Semiconductor

Номер детали:

G50N03J-DG

Описание:

MOSFET N-CH 30V 65A TO-251
Подробное описание:
N-Channel 65A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-251

Инвентаризация:

3000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13000702
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

G50N03J Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Goford Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (макс.)
±20V
Функция полевых транзисторов
Standard
Рассеиваемая мощность (макс.)
48W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-251
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Stub Leads, IPak

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
4822-G50N03J

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
diodes

DMT64M1LCG-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333

diodes

DMP2067LSS-13

MOSFET BVDSS: 8V~24V SO-8 T&R 2.

diodes

DMNH6010SCTBQ-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V TO263 T&R

rohm-semi

RS6N120BHTB1

NCH 80V 120A, HSOP8, POWER MOSFE