Производитель Номер продукта:
RS6N120BHTB1
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
RS6N120BHTB1-DG
Описание:
NCH 80V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
Подробное описание:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Инвентаризация:
1763 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13000712
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
RS6N120BHTB1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.9mOhm @ 60A, 6V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3420 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
104W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-HSOP
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
RS6N120
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
846-RS6N120BHTB1TR
846-RS6N120BHTB1CT
846-RS6N120BHTB1DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
GNP1070TC-ZE2
ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MOD
GNP1150TCA-ZE2
ECOGAN, 650V 11A DFN8080AK, E-MO
DMN2310U-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
