Производитель Номер продукта:
DMTH8008LFG-13
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMTH8008LFG-13-DG
Описание:
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Подробное описание:
N-Channel 80 V 17A (Ta), 70A (Tc) 1.2W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8
Инвентаризация:
13000716
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMTH8008LFG-13 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
17A (Ta), 70A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
37.7 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2254 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.2W (Ta), 50W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerDI3333-8
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
31-DMTH8008LFG-13TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
DMTH8008LFGQ-7
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
4000
Номер части
DMTH8008LFGQ-7-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.47
Тип замещения
Parametric Equivalent
Номер детали
DMTH8008LFGQ-13
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
5996
Номер части
DMTH8008LFGQ-13-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.47
Тип замещения
Parametric Equivalent
Номер детали
DMTH8008LFG-7
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
DMTH8008LFG-7-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.41
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STP80N600K6
N-CHANNEL 800 V, 515 MOHM TYP.,
STWA65N023M9
N-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP.,
DMT3006LFDFQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
