DMTH8008LFG-7
Производитель Номер продукта:

DMTH8008LFG-7

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DMTH8008LFG-7-DG

Описание:

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Подробное описание:
N-Channel 80 V 17A (Ta), 70A (Tc) 1.2W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8

Инвентаризация:

12986345
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DMTH8008LFG-7 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
17A (Ta), 70A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
37.7 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2254 pF @ 40 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.2W (Ta), 50W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PowerDI3333-8
Упаковка / Чехол
8-PowerVDFN

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,000
Другие названия
31-DMTH8008LFG-7TR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
DMTH8008LFGQ-7
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
4000
Номер части
DMTH8008LFGQ-7-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.47
Тип замещения
Parametric Equivalent
Номер детали
DMTH8008LFGQ-13
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
5996
Номер части
DMTH8008LFGQ-13-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.47
Тип замещения
Parametric Equivalent
Номер детали
DMTH8008LFG-13
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
DMTH8008LFG-13-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.41
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
diodes

DMT10H032LFDF-7

MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020

panjit

PJA3436_R2_00001

MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23

taiwan-semiconductor

TSM043NH04CR RLG

40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER

vishay-siliconix

SQJA70EP-T1_BE3

N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE