Производитель Номер продукта:
GNP1150TCA-ZE2
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
GNP1150TCA-ZE2-DG
Описание:
ECOGAN, 650V 11A DFN8080AK, E-MO
Подробное описание:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount DFN8080AK
Инвентаризация:
3051 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13000714
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
GNP1150TCA-ZE2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
5V, 5.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
195mOhm @ 1.9A, 5.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.4V @ 18mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
2.7 nC @ 6 V
Vgs (макс.)
+6V, -10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
112 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
62.5W (Tc)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DFN8080AK
Упаковка / Чехол
8-PowerDFN
Базовый номер продукта
GNP1150
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,500
Другие названия
846-GNP1150TCA-ZE2CT
846-GNP1150TCA-ZE2TR
846-GNP1150TCA-ZE2DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMN2310U-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
DMTH8008LFG-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
STP80N600K6
N-CHANNEL 800 V, 515 MOHM TYP.,