G60N10T
Производитель Номер продукта:

G60N10T

Product Overview

Производитель:

Goford Semiconductor

Номер детали:

G60N10T-DG

Описание:

N100V,RD(MAX)<25M@10V,RD(MAX)<30
Подробное описание:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 132W (Tc) Through Hole TO-220

Инвентаризация:

86 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12999086
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

G60N10T Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Goford Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
17mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
146 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3970 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
Standard
Рассеиваемая мощность (макс.)
132W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220
Упаковка / Чехол
TO-220-3

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50
Другие названия
3141-G60N10T
4822-G60N10T

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
taiwan-semiconductor

TSM60NC196CI

600V, 20A, SINGLE N-CHANNEL POWE

vishay-siliconix

SIR5623DP-T1-RE3

P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE

taiwan-semiconductor

TSM085N03PQ33

30V, 52A, SINGLE N-CHANNEL POWER

taiwan-semiconductor

TSM4NB60CH

600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER