Производитель Номер продукта:
G700P06J
Product Overview
Производитель:
Goford Semiconductor
Номер детали:
G700P06J-DG
Описание:
MOSFET P-CH 60V 23A TO-251
Подробное описание:
P-Channel 23A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-251
Инвентаризация:
13002595
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
G700P06J Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Goford Semiconductor
Упаковка
-
Серия
TrenchFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
70mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Vgs (макс.)
±20V
Функция полевых транзисторов
Standard
Рассеиваемая мощность (макс.)
50W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-251
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
4822-G700P06J
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0000
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMN1032UCP4-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DSN1010-
TSM150NB04LCV RGG
40V, 36A, SINGLE N-CHANNEL POWER
IPD028N06NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V
