GC20N65F
Производитель Номер продукта:

GC20N65F

Product Overview

Производитель:

Goford Semiconductor

Номер детали:

GC20N65F-DG

Описание:

MOSFET N-CH 650V 20A TO-220F
Подробное описание:
N-Channel 20A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220F

Инвентаризация:

20000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12977626
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

GC20N65F Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Goford Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
Cool MOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
190mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (макс.)
±30V
Функция полевых транзисторов
Standard
Рассеиваемая мощность (макс.)
40W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220F
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,000
Другие названия
4822-GC20N65F

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
goford-semiconductor

GC11N65K

N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4

goford-semiconductor

GC11N65K

MOSFET N-CH 650V 11A TO-252

rohm-semi

R8003KND3TL1

HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 3A

vishay-siliconix

IRF730APBF-BE3

MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB