R8003KND3TL1
Производитель Номер продукта:

R8003KND3TL1

Product Overview

Производитель:

Rohm Semiconductor

Номер детали:

R8003KND3TL1-DG

Описание:

HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 3A
Подробное описание:
N-Channel 800 V 3A (Ta) 45W (Ta) Surface Mount TO-252

Инвентаризация:

988 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12977632
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

R8003KND3TL1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.8Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 2mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
11.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
300 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
45W (Ta)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
R8003

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
846-R8003KND3TL1TR
846-R8003KND3TL1DKR
846-R8003KND3TL1CT

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
vishay-siliconix

IRF730APBF-BE3

MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB

vishay-siliconix

IRFBE20PBF-BE3

MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB

goford-semiconductor

GT6K2P10IH

MOSFET P-CH 100V 1A SOT-23

toshiba-semiconductor-and-storage

TPH9R00CQH,LQ

UMOS10 SOP-ADV(N) 150V 9MOHM