Производитель Номер продукта:
GT025N06AM
Product Overview
Производитель:
Goford Semiconductor
Номер детали:
GT025N06AM-DG
Описание:
N60V,170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2.
Подробное описание:
N-Channel 60 V 170A (Tc) 215W (Tc) Surface Mount TO-263
Инвентаризация:
791 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12997602
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
GT025N06AM Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Goford Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
SGT
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5119 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
Standard
Рассеиваемая мощность (макс.)
215W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
800
Другие названия
4822-GT025N06AMTR
3141-GT025N06AMDKR
3141-GT025N06AMCT
3141-GT025N06AMTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
GT025N06AM
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Goford Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
8000
Номер части
GT025N06AM-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.66
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
GT025N06AM
MOSFET N-CH 60V 170A TO-263
GT035N10T
N100V,190A,RD<3.5M@10V,VTH2.0V~4
GT007N04TL
N40V,150A,RD<1.5M@10V,VTH1.0V~2.
