Производитель Номер продукта:
GT095N10K
Product Overview
Производитель:
Goford Semiconductor
Номер детали:
GT095N10K-DG
Описание:
N100V, RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)
Подробное описание:
N-Channel 100 V 55A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount TO-252
Инвентаризация:
3935 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13001323
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
GT095N10K Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Goford Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
SGT
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
10.5mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1667 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
Standard
Рассеиваемая мощность (макс.)
74W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
3141-GT095N10KDKR
3141-GT095N10KCT
4822-GT095N10KTR
3141-GT095N10KTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TSM056NH04LCV RGG
40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
AS1M025120P
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
G45P40T
MOSFET P-CH 40V 45A TO-220
