GT110N06S
Производитель Номер продукта:

GT110N06S

Product Overview

Производитель:

Goford Semiconductor

Номер детали:

GT110N06S-DG

Описание:

MOSFET N-CH 60V 14A SOP-8
Подробное описание:
N-Channel 14A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount 8-SOP

Инвентаризация:

50000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12975387
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

GT110N06S Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Goford Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
SGT
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
11mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.4V @ 250µA
Vgs (макс.)
±20V
Функция полевых транзисторов
Standard
Рассеиваемая мощность (макс.)
3W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOP
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
4,000
Другие названия
4822-GT110N06STR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
goford-semiconductor

GT55N06D5

N60V,RD(MAX)<8M@10V,RD(MAX)<13M@

nexperia

PMV28ENER

PMV28ENE/SOT23/TO-236AB

micro-commercial-components

MCG53N06A-TP

N-CHANNEL MOSFET,DFN3333

vishay-siliconix

SIB4317EDK-T1-GE3

P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE