Производитель Номер продукта:
GT52N10D5
Product Overview
Производитель:
Goford Semiconductor
Номер детали:
GT52N10D5-DG
Описание:
N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1
Подробное описание:
N-Channel 100 V 71A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5.2x5.86)
Инвентаризация:
14080 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12997597
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
GT52N10D5 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Goford Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
SGT
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
71A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
7.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
44.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2626 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
Standard
Рассеиваемая мощность (макс.)
79W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-DFN (5.2x5.86)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
3141-GT52N10D5DKR
3141-GT52N10D5TR
3141-GT52N10D5CT
4822-GT52N10D5TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
GT100N12K
N120V,65A,RD<12M@10V,VTH2.5V~3.5
GT025N06AM
N60V,170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2.
GT025N06AM
MOSFET N-CH 60V 170A TO-263
