Производитель Номер продукта:
GSFU9506
Product Overview
Производитель:
Good-Ark Semiconductor
Номер детали:
GSFU9506-DG
Описание:
MOSFET, N-CH, SINGLE, 6A, 950V,
Подробное описание:
N-Channel 950 V 6A (Tj) 32W (Tj) Through Hole TO-220F
Инвентаризация:
1000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13001922
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
GSFU9506 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Good Ark Semiconductor
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
950 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6A (Tj)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
750mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.9V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
18.4 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1250 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
32W (Tj)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220F
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
4786-GSFU9506
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
R6013VNXC7G
600V 8A TO-220FM, PRESTOMOS WITH
ICE10N60FP
Superjunction MOSFET
ICE60N130W
Superjunction MOSFET
