Производитель Номер продукта:
AUIRF7799L2TR
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
AUIRF7799L2TR-DG
Описание:
MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET
Подробное описание:
N-Channel 250 V 375A (Tc) 4.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric L8
Инвентаризация:
12801892
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
AUIRF7799L2TR Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
250 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
375A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
38mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
165 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6714 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
4.3W (Ta), 125W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DirectFET™ Isometric L8
Упаковка / Чехол
DirectFET™ Isometric L8
Базовый номер продукта
AUIRF7799
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,000
Другие названия
SP001522796
448-AUIRF7799L2TRCT
448-AUIRF7799L2TRDKR
448-AUIRF7799L2TR
AUIRF7799L2TR-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSC024NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 25A/110A TDSON
BSC0904NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON
IPA65R1K5CEXKSA1
MOSFET N-CH 650V 5.2A TO220
