Производитель Номер продукта:
IPA65R1K5CEXKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPA65R1K5CEXKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 5.2A TO220
Подробное описание:
N-Channel 650 V 5.2A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Инвентаризация:
487 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12801917
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPA65R1K5CEXKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™
Статус продукта
Not For New Designs
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
5.2A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 130µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
225 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
30W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-FP
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
IPA65R1
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
2156-IPA65R1K5CEXKSA1
SP001429484
ROCINFIPA65R1K5CEXKSA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
STP7NK80ZFP
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
817
Номер части
STP7NK80ZFP-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.18
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSZ084N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
IRFR4105ZTR
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
IPP037N08N3GE8181XKSA1
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
