Производитель Номер продукта:
BSC027N06LS5ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSC027N06LS5ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Подробное описание:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Инвентаризация:
13411 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12799063
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
vBQp
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSC027N06LS5ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.3V @ 49µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
30 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4400 pF @ 30 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
83W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TDSON-8-7
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
BSC027
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
SP001385616
BSC027N06LS5ATMA1-DG
BSC027N06LS5ATMA1CT
BSC027N06LS5ATMA1DKR
BSC027N06LS5ATMA1TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSC050N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 18A/80A TDSON
BSS225L6327HTSA1
MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
BSP135H6327XTSA1
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
