Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
BSC030P03NS3GAUMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSC030P03NS3GAUMA1-DG
Описание:
MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON
Подробное описание:
P-Channel 30 V 25.4A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Инвентаризация:
24652 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12799954
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSC030P03NS3GAUMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
25.4A (Ta), 100A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
6V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.1V @ 345µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
186 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
14000 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 125W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TDSON-8-1
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
BSC030
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
BSC030P03NS3GAUMA1
HTML Спецификация
BSC030P03NS3GAUMA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
BSC030P03NS3GAUMA1TR
BSC030P03NS3 GCT-DG
BSC030P03NS3 GDKR
BSC030P03NS3 GDKR-DG
BSC030P03NS3 GCT
BSC030P03NS3G
BSC030P03NS3 G-DG
BSC030P03NS3 G
BSC030P03NS3 GTR-DG
BSC030P03NS3GAUMA1DKR
BSC030P03NS3GAUMA1CT
SP000442470
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPI041N12N3GAKSA1
MOSFET N-CH 120V 120A TO262-3
IPB65R045C7ATMA2
MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3
BSS126 E6327
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
IAUT300N08S5N014ATMA1
MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF