Производитель Номер продукта:
IPB65R045C7ATMA2
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPB65R045C7ATMA2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3
Подробное описание:
N-Channel 650 V 46A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Инвентаризация:
1636 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12799958
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPB65R045C7ATMA2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
CoolMOS™ C7
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
46A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
45mOhm @ 24.9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1.25mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
93 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4340 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
227W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
IPB65R045
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
IPB65R045C7ATMA2CT
IPB65R045C7ATMA2TR
IPB65R045C7ATMA2DKR
SP002447548
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSS126 E6327
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
IAUT300N08S5N014ATMA1
MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
BSC094N06LS5ATMA1
MOSFET N-CHANNEL 60V 47A 8TDSON
