Производитель Номер продукта:
BSD316SNH6327XTSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSD316SNH6327XTSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6
Подробное описание:
N-Channel 30 V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT363-PO
Инвентаризация:
30853 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12799965
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSD316SNH6327XTSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.4A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
160mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 3.7µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
0.6 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
94 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
500mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-SOT363-PO
Упаковка / Чехол
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Базовый номер продукта
BSD316
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
BSD316SNH6327XTSA1-DG
BSD316SN H6327
448-BSD316SNH6327XTSA1DKR
BSD316SN H6327-DG
448-BSD316SNH6327XTSA1CT
448-BSD316SNH6327XTSA1TR
SP000917668
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPA60R190P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
IPC95R450P7X7SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IPL65R1K5C6SATMA1
MOSFET N-CH 650V 3A THIN-PAK
