Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
BSC050N04LSGATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSC050N04LSGATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 18A/85A TDSON
Подробное описание:
N-Channel 40 V 18A (Ta), 85A (Tc) 2.5W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Инвентаризация:
108337 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12799808
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSC050N04LSGATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
18A (Ta), 85A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 27µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3700 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 57W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TDSON-8-5
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
BSC050
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
BSC050N04LSGATMA1
HTML Спецификация
BSC050N04LSGATMA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
BSC050N04LS GCT
SP000354806
BSC050N04LSGATMA1CT
BSC050N04LSG
BSC050N04LS GCT-DG
BSC050N04LS G-DG
BSC050N04LSGATMA1DKR-DGTR-DG
BSC050N04LS GTR-DG
BSC050N04LSGATMA1DKR
BSC050N04LS GDKR
BSC050N04LSGATMA1CT-DGTR-DG
BSC050N04LSGATMA1TR
BSC050N04LS G
BSC050N04LS GDKR-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BTS113ANKSA1
MOSFET N-CH 60V 11.5A TO220AB
BSP88H6327XTSA1
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
IPA65R650CEXKSA1
MOSFET N-CH 650V 7A TO220
IPA037N08N3GXKSA1
MOSFET N-CH 80V 75A TO220-FP