Производитель Номер продукта:
BSC093N04LSGATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSC093N04LSGATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON
Подробное описание:
N-Channel 40 V 13A (Ta), 49A (Tc) 2.5W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Инвентаризация:
29370 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12799673
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSC093N04LSGATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
13A (Ta), 49A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9.3mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 14µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1900 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 35W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TDSON-8-5
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
BSC093
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
5,000
Другие названия
BSC093N04LS G
SP000387929
BSC093N04LSGATMA1DKR
BSC093N04LS GDKR
BSC093N04LS GCT-DG
BSC093N04LSGATMA1CT-DGTR-DG
BSC093N04LS GTR-DG
BSC093N04LSGATMA1CT
BSC093N04LS GTR
BSC093N04LS GDKR-DG
BSC093N04LS G-DG
BSC093N04LS GCT
BSC093N04LSGATMA1DKR-DGTR-DG
BSC093N04LSGATMA1TR
BSC093N04LSG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSZ16DN25NS3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
BSC059N03ST
MOSFET N-CH 30V 19A/89A TDSON
IPD50P04P4L11ATMA1
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3