Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
BSD316SNL6327XT
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSD316SNL6327XT-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363-6
Подробное описание:
N-Channel 30 V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT363-PO
Инвентаризация:
532 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12840527
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSD316SNL6327XT Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Cut Tape (CT)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.4A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
160mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 3.7µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
0.6 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
94 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
500mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-SOT363-PO
Упаковка / Чехол
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
BSD316SNL6327XT
HTML Спецификация
BSD316SNL6327XT-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
BSD316SNL6327HTSA1
BSD316SN L6327INTR-DG
BSD316SNL6327XTCT
BSD316SN L6327INTR
BSD316SN L6327INDKR
BSD316SN L6327INDKR-DG
BSD316SNL6327XTDKR
BSD316SN L6327-DG
BSD316SNL6327
SP000442462
BSD316SN L6327INCT-DG
BSD316SNL6327XTTR
BSD316SN L6327INCT
BSD316SN L6327
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Альтернативные модели
Номер детали
BSD316SNH6327XTSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
30853
Номер части
BSD316SNH6327XTSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.06
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
HUFA76429S3S
MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK
NVMFS5C430NWFT3G
MOSFET N-CH 40V 5DFN
94-4762
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
NTLUS4195PZTAG
MOSFET P-CH 30V 2A 6UDFN