Производитель Номер продукта:
BSD840NH6327XTSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSD840NH6327XTSA1-DG
Описание:
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Подробное описание:
Mosfet Array 20V 880mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-PO
Инвентаризация:
54248 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13063912
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSD840NH6327XTSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Изготовитель
Infineon Technologies
Серия
OptiMOS™
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Состояние детали
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
2 N-Channel (Dual)
Функция полевых транзисторов
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
880mA
Rds On (макс.) @ id, vgs
400mOhm @ 880mA, 2.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
750mV @ 1.6µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
0.26nC @ 2.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
78pF @ 10V
Мощность - Макс
500mW
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Комплект устройства поставщика
PG-SOT363-PO
Базовый номер продукта
BSD840
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
BSD840N H6327CT
BSD840NH6327
BSD840N H6327TR-ND
BSD840N H6327CT-ND
BSD840NH6327XTSA1DKR
BSD840NH6327XTSA1CT
BSD840N H6327DKR
SP000917654
BSD840N H6327-ND
BSD840NH6327XT
BSD840N H6327DKR-ND
BSD840N H6327
BSD840NH6327XTSA1TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSO204PNTMA1
MOSFET 2P-CH 20V 7A 8DSO
IPG20N06S4L14AATMA1
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
IPG20N06S415ATMA2
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON