Производитель Номер продукта:
BSO612CV
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSO612CV-DG
Описание:
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8DSO
Подробное описание:
Mosfet Array 60V 3A, 2A 2W Surface Mount PG-DSO-8
Инвентаризация:
12799380
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSO612CV Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, ПОЛИПРОВОДНИКИ, МОДУЛИ MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
SIPMOS®
Статус продукта
Obsolete
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация
N and P-Channel
Функция полевых транзисторов
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3A, 2A
Rds On (макс.) @ id, vgs
120mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 20µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
15.5nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
340pF @ 25V
Мощность - Макс
2W
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Комплект устройства поставщика
PG-DSO-8
Базовый номер продукта
BSO612
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
BSO612CVINCT
SP000012292
BSO612CVINTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IRF7343TRPBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
18654
Номер части
IRF7343TRPBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.39
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DF23MR12W1M1B11BPSA1
SIC 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2
DF11MR12W1M1B11BOMA1
SIC 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2
BSD840N L6327
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363