Производитель Номер продукта:
BSP322PL6327HTSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSP322PL6327HTSA1-DG
Описание:
MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Подробное описание:
P-Channel 100 V 1A (Tc) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21
Инвентаризация:
12801032
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSP322PL6327HTSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
SIPMOS®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
800mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 380µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
16.5 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
372 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.8W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-SOT223-4-21
Упаковка / Чехол
TO-261-4, TO-261AA
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
BSP322P L6327
SP000212229
2156-BSP322PL6327HTSA1-ITTR
BSP322P L6327-DG
BSP322PL6327HTSA1TR
INFINFBSP322PL6327HTSA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
BSP322PH6327XTSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
3053
Номер части
BSP322PH6327XTSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.28
Тип замещения
Parametric Equivalent
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPB65R190C6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 20.2A D2PAK
IPC60R190E6X1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IPI35CN10N G
MOSFET N-CH 100V 27A TO262-3