Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Russian
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Russian
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
BUZ30AH3045AATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BUZ30AH3045AATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 200 V 21A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12801046
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BUZ30AH3045AATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
SIPMOS®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
130mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 1mA
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1900 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
125W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO263-3
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
BUZ30
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
BUZ30AH3045AATMA1
HTML Спецификация
BUZ30AH3045AATMA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
BUZ30AL3045AINTR-DG
BUZ30AH3045AATMA1CT
BUZ30AL3045AINDKR-DG
BUZ30AH3045AINCT-DG
BUZ30AL3045AINCT-DG
BUZ30A H3045A
BUZ30AH3045AINTR-DG
INFINFBUZ30AH3045AATMA1
BUZ30AL3045AINTR
BUZ30AH3045AINTR
2156-BUZ30AH3045AATMA1
BUZ30AH3045AATMA1DKR
BUZ30AH3045AINDKR-DG
BUZ30A L3045A
BUZ30AH3045AATMA1TR
BUZ30AL3045AINCT
SP000736082
BUZ30AH3045AINCT
SP000102176
BUZ30A L3045A-DG
BUZ30AL3045AXT
BUZ30AL3045AINDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IRFB4620PBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
724
Номер части
IRFB4620PBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.02
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
FQB19N20LTM
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
FQB19N20LTM-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.67
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPC60R160C6UNSAWNX6SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IPD90N06S405ATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
IPA60R280P7SXKSA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
BSS87H6327FTSA1
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89-4