Производитель Номер продукта:
IPD90N06S405ATMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPD90N06S405ATMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Подробное описание:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Инвентаризация:
12801049
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPD90N06S405ATMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Discontinued at Digi-Key
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
5.1mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 60µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
6500 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
107W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-TO252-3-11
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
IPD90
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
IPD90N06S405ATMA1TR
SP000481510
IPD90N06S4-05
IPD90N06S4-05-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPD90N06S405ATMA2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IPD90N06S405ATMA2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.61
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPA60R280P7SXKSA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
BSS87H6327FTSA1
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89-4
BSR802NL6327HTSA1
MOSFET N-CH 20V 3.7A SC59
