Производитель Номер продукта:
BSP373NH6327XTSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSP373NH6327XTSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4
Подробное описание:
N-Channel 100 V 1.8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Инвентаризация:
7841 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12800708
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSP373NH6327XTSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
240mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 218µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
9.3 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
265 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.8W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-SOT223-4
Упаковка / Чехол
TO-261-4, TO-261AA
Базовый номер продукта
BSP373
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
BSP373NH6327XTSA1CT
BSP373NH6327XTSA1DKR
BSP373NH6327XTSA1TR
BSP373NH6327XTSA1-DG
SP001059328
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IMW120R140M1HXKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-3
IPD60R650CEAUMA1
CONSUMER
IPC50R045CPX1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
