Производитель Номер продукта:
BSS123NH6327XTSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSS123NH6327XTSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Подробное описание:
N-Channel 100 V 190mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Инвентаризация:
273043 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12854910
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSS123NH6327XTSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
190mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6Ohm @ 190mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.8V @ 13µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
0.9 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
20.9 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
500mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-SOT23
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
BSS123
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
BSS123NH6327XTSA1CT
BSS123NH6327XTSA1TR
SP000870646
BSS123NH6327XTSA1DKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRLZ24NSTRR
MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
2SK4093TZ-E
MOSFET N-CH 250V 1A TO92MOD
SPD30N03S2L10T
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
