Производитель Номер продукта:
BSS138NH6433XTMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSS138NH6433XTMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Подробное описание:
N-Channel 60 V 230mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Инвентаризация:
16922 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12800200
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
wnqS
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSS138NH6433XTMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
SIPMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
230mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
3.5Ohm @ 230mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.4V @ 26µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
1.4 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
41 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
360mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-SOT23
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
BSS138
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
10,000
Другие названия
BSS138NH6433XTMA1DKR
BSS138NH6433XTMA1TR
BSS138NH6433XTMA1CT
BSS138NH6433XTMA1-DG
SP000924060
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSZ0902NSATMA1
MOSFET N-CH 30V 19A/40A TSDSON
BSS127 E6327
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
IGT60R190D1SATMA1
GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF
